Materialy cienkowarstwowe do zastosowa? fotowoltaicznych

Celem niniejszej pracy jest zbadanie mo?liwo?ci zastosowania w technologii fotowoltaicznej binarnego materialu pólprzewodnikowego z krzemem jako najbardziej czulym pólprzewodnikiem w technologii ogniw slonecznych. W?glik krzemu jest wa?nym i szeroko stosowanym przewodnikiem nie tylko ze wzgl?du na swoje wla?ciwo?ci fizyczne, ale równie? ze wzgl?du na jego wla?ciwo?ci fotowoltaiczne, które mog? byc wykorzystane w produkcji ogniw w rozwoju materialów pólprzewodnikowych dla technologii fotowoltaicznej. Badania koncentruj? si? na binarnym komponencie krzemowo-w?glowym, pocz?wszy od podstawowej perspektywy strukturalnych i elektronicznych wla?ciwo?ci SiC w kodzie Wien2k; symulacja numeryczna z SCAPS-1D dwóch form PN i PiN opartych na SiC i 3C-SiC dokladniej przedstawila odpowiedni proces wyboru najbardziej odpowiedniego materialu jako warstwy przezroczystej z tym materialem, umo?liwiaj?c w ten sposób lepsz? wydajno?c tego ogniwa fotowoltaicznego przekraczaj?c? 20%. Badanie niektórych parametrów odgrywaj?cych istotn? rol? w poprawie jako?ci powietrza.